在10纳米及以下工艺的推动下，CPU核心数量，高速IO通道，DDR通道，嵌入式存储器和其他功能的增长速度超过了历史记录。今天，新的硅技术和基板封装方法，已经能够使我们以更加经济的方式扩展处理器。

尽管多芯片模块（MCM）已经存在了好几代，但它们通常用于将封装内的多个分立器件芯片连接在一起，以节省空间或改善信号完整性。此时，芯片间互连的宽度受到限制，并且需要大功率I/O驱动器或SERDES。
但现在芯片和封装方面的改进允许设备或元素由多个子CPU硅芯片组成，通常称为小芯片，且没有明显的性能或功耗缺点。这种新方法的一个例子是AMD的第二代EPYC 服务器CPU，其中一个IO芯片（IOD）和多达八个8核CPU高速缓存芯片（CCD）以互连的方式布置在CPU封装基板上。

如果CPU是由单个整体式芯片制成，则CCD和IOD的数量不会对延迟或带宽造成任何明显影响。由于单个CCD和IOD芯片仅是等效单片芯片尺寸的一小部分，因此可以实现芯片成品率的大幅提高。此外，这种“小芯片”方法允许CCD使用比IOD更高级的硅工艺，从而节省更多成本。

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